موفقیت دانشمندان ژاپنی در ساخت حافظههای 1000 برابر سریعتر از DRAM
یک تیم تحقیقاتی در ژاپن موفق شده حافظه‌ای مبتنی بر یک ماده آنتی‌فرومغناطیس بسازد که تنها در ۴۰ پیکوثانیه سوئیچ می‌کند. این فناوری با استفاده از مکانیزم Spin-Orbit Torque و بدون نیاز به گرمایش شدید، راه جدیدی برای ساخت حافظه‌های فوق‌سریع و کم‌مصرف باز کرده که می‌تواند آینده پردازش سیستم‌های هوش مصنوعی را متحول کند.
